빈도 | 1MHz~8.5GHz |
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설치 | SMD |
작동 온도 | -40℃~125℃ |
저장 온도 | -55°C ~ 100°C |
임페던스 비율 | 11, 2, 14 |
회전 비율 | 1:1 |
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삽입 손실 | 1.0dB 최대 @1-100MHz |
OCL | 350uH 사소 8mA DC 편견 (회선측) |
속도 | 1000Base-T |
안녕 남비 | 1500Vrms |
현재 범위 | 5-5000A |
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산출 | 0-5A |
정확도 | 0.5、 1.0、 3.0 |
명세서 | 쪼개지는 핵심 |
격리 매체 | 에폭시 수지 |
회귀율 | 1:2.5 |
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임피던스 | 4000Ω |
동상 제거 | 45dB 민 |
이름 | 데이터 버스 트랜스 |
신청서 | 군용을 위해 |
이름 | 인버터 트랜스포머 |
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힘 | 375W |
작동 온도 | -40C 내지 +65C |
차단 | 3000VDC |
빈도 | 350kHz |
회전 비율 | 1:1000,1: 2000,1:2500 |
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회수 | 50 -2.5KHz |
안 구멍 | 7mm에서 19mm |
정확도 클래스 | 0.5 |
표준 | IEC60076 |
유도자 | 1.0uH - 10mH |
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설치 | SMD |
그렇게 하기 위한 위로 경향 | 20A |
빈도를 시험하십시오 | 10KHz |
핵심 | 토로이드 |
절차 | 주조하는 |
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그렇게 하기 위한 위로 경향 | 2A |
설치 | SMD |
빈도를 시험하십시오 | 10KHz |
핵심 | 자기를 띠 소프트 |
와이어 | 3배 절연 전선 |
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비율을 돕니다 | 1:1 |
핵심 | 알파철 핵심 |
빈도를 시험하십시오 | 10KHz |
타입 | EMI 필터 |
주파수 | 4.5-3000MHz |
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고유 음향 임피던스 | 75Ω |
작동 온도 | -40℃에 85℃ |
저장 온도 | -55C 내지 100C |
임피던스 비 | 1:1 , 1:2 , 1:4 |