| 빈도 | 1MHz~8.5GHz |
|---|---|
| 설치 | SMD |
| 작동 온도 | -40℃~125℃ |
| 저장 온도 | -55°C ~ 100°C |
| 임페던스 비율 | 11, 2, 14 |
| 회전 비율 | 1:1 |
|---|---|
| 삽입 손실 | 1.0dB 최대 @1-100MHz |
| OCL | 350uH 사소 8mA DC 편견 (회선측) |
| 속도 | 1000Base-T |
| 안녕 남비 | 1500Vrms |
| 전류 범위 | 0~2000A |
|---|---|
| 출력 | 0-5A 또는 0-10Vac |
| 클래스 | 0.5 |
| 내부 창 | ≥50.0mm |
| 시험 범위 | 1~130% |
| 현재 범위 | 5-5000A |
|---|---|
| 산출 | 0-5A |
| 정확도 | 0.5、 1.0、 3.0 |
| 명세서 | 쪼개지는 핵심 |
| 격리 매체 | 에폭시 수지 |
| 회귀율 | 1:2.5 |
|---|---|
| 임피던스 | 4000Ω |
| 동상 제거 | 45dB 민 |
| 이름 | 데이터 버스 트랜스 |
| 신청서 | 군용을 위해 |
| 이름 | 인버터 트랜스포머 |
|---|---|
| 힘 | 375W |
| 작동 온도 | -40C 내지 +65C |
| 차단 | 3000VDC |
| 빈도 | 350kHz |
| 회전 비율 | 1:1000,1: 2000,1:2500 |
|---|---|
| 회수 | 50 -2.5KHz |
| 안 구멍 | 7mm에서 19mm |
| 정확도 클래스 | 0.5 |
| 표준 | IEC60076 |
| 유도자 | 1.0uH - 10mH |
|---|---|
| 설치 | SMD |
| 그렇게 하기 위한 위로 경향 | 20A |
| 빈도를 시험하십시오 | 10KHz |
| 핵심 | 토로이드 |
| 절차 | 주조하는 |
|---|---|
| 그렇게 하기 위한 위로 경향 | 2A |
| 설치 | SMD |
| 빈도를 시험하십시오 | 10KHz |
| 핵심 | 자기를 띠 소프트 |
| 와이어 | 3배 절연 전선 |
|---|---|
| 비율을 돕니다 | 1:1 |
| 핵심 | 알파철 핵심 |
| 빈도를 시험하십시오 | 10KHz |
| 타입 | EMI 필터 |
