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키워드 [ smt power inductors ] 시합 86 상품.
단 하나 코일 표면 산 힘 유도체 비차폐 고주파 SMD 임명

단 하나 코일 표면 산 힘 유도체 비차폐 고주파 SMD 임명

가격: 협상 가능 MOQ: 5000pcs
인덕턴스 1.2mH까지
허용 오차 ±10%, ±20%
자화기의 구조 알파철 코일
설치 smd
작동 주파수 고주파
알파철 핵심 표면 산 힘 유도체 철사 부상 코일 토로이드 1-1000uH

알파철 핵심 표면 산 힘 유도체 철사 부상 코일 토로이드 1-1000uH

가격: 협상 가능 MOQ: 협상
인덕턴스 1uH-1000uH
현재 까지 22.7A
설치 smd
주파수를 시험하십시오 1kHz
핵심 토로 이달의
저프로파일 SMD는 힘 유도체 유도자 배열 1uH - 100uH를 보호했습니다

저프로파일 SMD는 힘 유도체 유도자 배열 1uH - 100uH를 보호했습니다

가격: 협상 가능 MOQ: 5000pcs
인덕턴스 100uH에 1.0
현재 까지 2.7A
베이스 SMD 플라스틱 기초
패드 크기 6.3*6.3mm
작용 온도 -40 105°C에
썰물 납땜을 위해 무연 얇은 보호된 SMD 칩 유도체 알파철 코일

썰물 납땜을 위해 무연 얇은 보호된 SMD 칩 유도체 알파철 코일

가격: 협상 가능 MOQ: 5000pcs
유도체 가치 조정 유도체
자화기의 구조 알파철 코일
작동 주파수 고주파
Productor 이름 SMD 파워 인덕터
질 증명서 ISO9001: 2008
60A 최대 현재 지상 산 유도체 강자성 핵심 유도체 SMD

60A 최대 현재 지상 산 유도체 강자성 핵심 유도체 SMD

가격: 협상 가능 MOQ: 5000pcs
인덕턴스 0.22uH에 10uH
Max.Current 60a
차폐 보호하는
재료 페라이트
제품 이름 SMD 파워 인덕터
낮은 DC 저항 SMD 힘 초크 390uH는 자석으로 구조를 보호했습니다

낮은 DC 저항 SMD 힘 초크 390uH는 자석으로 구조를 보호했습니다

가격: 협상 가능 MOQ: 5000pcs
종류 SMD에 의하여 보호되는 힘 유도체
크기 L*W=5.0*5.0mm
주파수를 시험하십시오 100KHZ
설치 smd
명세서 Rohs, ISO9001
SMT 설치 전력 인듀서 -40C ~ 130C 온도 범위 표면 장착 인듀서

SMT 설치 전력 인듀서 -40C ~ 130C 온도 범위 표면 장착 인듀서

가격: 협상 가능 MOQ: 협상
인덕턴스 1.0uH - 6.8mH
사건 플라스틱
설치 SMT
시험 빈도 1.0KHz
핵심 페라이트 코어
전원 관리용 고신뢰성 저프로파일 실드 SMD 전력 인덕터 DEP2520 시리즈

전원 관리용 고신뢰성 저프로파일 실드 SMD 전력 인덕터 DEP2520 시리즈

MOQ: 5000
심 자재 페라이트 코어
작동 주파수 전력 관리 애플리케이션에 적합(모델에 따라 다름)
작동 온도 -40°C ~ +125°C(일반, 모델에 따라 다름)
단열재 성형 단열 구조
배달 시간 2 ~ 8 주
DC-DC 컨버터용 고전류 지원 저 DCR 실드 SMD 전력 인덕터

DC-DC 컨버터용 고전류 지원 저 DCR 실드 SMD 전력 인덕터

MOQ: 1000
Inductance Range Refer to datasheet (model dependent)
DC Resistance (DCR) Low DCR design, refer to datasheet
Operating Frequency Suitable for high-frequency switching power applications
Mounting Type Surface Mount (SMD / SMT)
Application DC-DC converters, switching power supplies, power management circuits
높은 현재 SMT 힘 유도체 110A는 초크 코일 RoHS 직접적 고분고분했던 보호했습니다

높은 현재 SMT 힘 유도체 110A는 초크 코일 RoHS 직접적 고분고분했던 보호했습니다

가격: 협상 가능 MOQ: 5000pcs
현재 범위 20A에 110A
유도자 범위 32nH에 200nH
크기 7.49 *7.62 *4.96mm
설치 SMT
DCR 0.17mΩ±8%
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