| 임피던스 | 750Ω min. |
|---|---|
| 주파수를 시험하십시오 | 100MHz |
| 철사 | 0.6mm |
| 회전 비율 | 1:1 |
| 핵심 | 알파철 중핵 |
| 인덕턴스 | 135uH~820uH |
|---|---|
| 정격 전류 | 7A~26A |
| 설치 | SMT |
| 유도체 가치 | 조정 유도체 |
| 온도를 운영하십시오 | -40 ℃to + 125℃ (를 포함하여 각자 온도 상승) |
| 인덕턴스 | 11uH에 4.7mH |
|---|---|
| 허용 오차 | 25% |
| 설치 | smd |
| potting 화합물 | 에폭시 |
| 작동 온도 | -40℃에 +105℃ |
| 인덕턴스 | 4.7uH에 20mH |
|---|---|
| 정격 전류 | 30A에 0.2 |
| 외경 | 18 - 50mm |
| 핵심 | 철 또는 알파철 |
| 유도체 가치 | 조정 유도체 |
| 인덕턴스 | 0.47uH에 300uH |
|---|---|
| 허용 오차 | 20%/25% |
| 현재 | 8A |
| 설치 | SMT |
| 작동 온도 | -40℃에 +125℃ |
| 단계 | 단상 |
|---|---|
| 핵심 | 알파철 빈 사각 |
| 철사 | 폭 1.0-2.0mm의 간격 0.1-0.5mm |
| 주파수를 시험하십시오 | 10KHz |
| 작동 온도 | -40ºC에 +150ºC |
| 철사 | 폭 1.0-2.0mm의 간격 0.1-0.5mm |
|---|---|
| 회전 비율 | 1:1 |
| 핵심 | 알파철 빈 사각 |
| 주파수를 시험하십시오 | 10KHz |
| 단계 | 단상 |
| 철사 | 폭 1.0-2.0mm의 간격 0.1-0.5mm |
|---|---|
| 회전 비율 | 1:1 |
| 핵심 | 알파철 빈 사각 |
| 주파수를 시험하십시오 | 10KHz |
| 단계 | 단상 |
| 인덕턴스 | 150uH에 1mH |
|---|---|
| 허용 오차 | 30 % |
| 설치 | SMT |
| potting 화합물 | 에폭시 |
| 작동 온도 | -40℃에 +105℃ |
| 단계 | 단상 |
|---|---|
| 핵심 | 알파철 빈 사각 |
| 주파수를 시험하십시오 | 10KHz |
| 작동 온도 | -40ºC에 +150ºC |
| 회전 비율 | 1:1 |
