6.75KV 고 단열 강도 게이트 드라이브 트랜스포머 IGBT

IGBT용 게이트 드라이브 트랜스포머 , 고주파 트랜스포머

현대적인 변주 주파수 드라이브 (VFD) 에서는 주파수 변환을 위해 인버터 단계에서 IGBT를 사용합니다. 해당 게이트 드라이버 회로는 전환에 필요한 전력을 공급해야합니다.중~고전력 애플리케이션에서 DC/DC 변환기는 일반적으로이 목적을 위해 사용됩니다..

IGBT용 게이트 드라이브 트랜스포머는 중간 회로와 저전압 제어 사이를 안전하게 갈바닉 분리시키는 이러한 변환기의 핵심 요소입니다.

나노 크리스탈린으로 만든 토로이드 코어를 사용하여 값비싼 PCB 공간을 절약하는 매우 컴팩트한 케이스에 필요한 스위치 전력을 전송 할 수 있습니다.첨단 단열 및 와일딩 개념은 가장 높은 코로나 소멸 전압과 낮은 결합 용량을 보장합니다..

500V에서 1200V 사이의 전형적인 작동 전압에 대한 많은 포트폴리오가 제공됩니다. 변압기는 까다로운 응용 프로그램에 대한 다른 전송 비율과 전압 시간 영역을 갖추고 있습니다.

특징:

·저한 결합 용량

·고위 단열 강도 (강화 단열)

·매우 높은 코로나 소멸 전압

·THT 및 SMT 껍질의 컴팩트 디자인

·운영 온도 범위: -40°C ~ +105°C

·저장 온도 범위: -40°C ~ +105°C

우리 에 관한 것:

신호름 엔터프라이즈는 중국 시안에 설립되었으며 트랜스포머 및 코일 부품 설계 및 제조에 거의 20 년의 경험을 가지고 있습니다.
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